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本实用新型涉及干法刻蚀技术，特别涉及一种干法刻蚀设备。

技术背景 图I为现有干法刻蚀设备的结构示意图，如图I所示，干法刻蚀设备包括反应腔(Chamber) 5，设置于反应腔(Chamber) 5上的垫板4、以及设置于反应腔(Chamber) 5中的挡光板I。现有的干法刻蚀设备在对玻璃(Glass)基板进行刻蚀的工艺中，由于设备的上部电极结构复杂以及设备老化等原因，经常会出现垫板4断裂以及其他零部件损坏而导致反应腔(Chamber) 5真空***(Leak)的现象，由此，大气会进入反应腔(Chamber) 5内部，大气中的氮气等与反应腔(Chamber) 5内的气体混合，混合后气体颜色会由蓝色变成红色或***，出现颜色异常。现有结构无法对等离子体(Pla***a)颜色进行监控，导致在后工序才能发现，这会严重影响良品率。

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在集成电路制造工艺中，刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅表面去除不需要的材料，在硅片上所需图形的后图形转移的工艺步骤。干法蚀刻和湿法蚀刻是半导体制造中两种基本的刻蚀工艺。干法蚀刻各向异性可以实现细微图形的转换，满足越来越小的尺寸要求，已成为亚微米及以下尺寸主要的蚀刻方式。在实际生产中，公司追求产能和良率。就二氧化硅的干法蚀刻而言，需要优化诸如蚀刻速率、均匀性、选择比等蚀刻参数。因在蚀刻过程中，刻蚀的理想条件经常漂移，工艺工程师不仅需设定优化蚀刻效果的蚀刻菜单，还需在理想条件漂移时及时做出调整。本文选取了影响蚀刻效果的主要工艺参数，如射频、压力、蚀刻气体等做正交试验，蚀刻面板加工厂家，确定其具体的影响程度，为参数设置和调节提供依据。

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贴花纸印装饰纹

用WPS400型丝网印刷机，蚀刻面板加工电话，装上丝网版，橡胶刮板放上适量抗蚀转印油墨，先用废蓝图纸反面试印，用力要均匀，轻重要适度，不要回墨，直至印出均匀清晰的装饰纹，再用贴花纸印制。

贴花纸印前应裁成适当大小，用干净橡皮刮板刮平。印制过程中如发生油墨堵塞网孔，图纹不清晰，说明油墨过干，可加适量煤油调稀；

如果印制的装饰纹易模糊，说明油墨中煤油过量，可将油墨放在玻璃板上，用油墨刀反复调合，挥发部份煤油再印制。

油墨干燥

将印好的贴花纸放入烘箱网格上，油墨面朝上，均匀摊开，不得重叠，控温40～45℃，烘至油墨半干状取出，即轻摸贴花纸上油墨不粘手，稍加压力便粘手，一般约烘10～15min。油墨烘得过干，转印时与模具不粘或结合力差；油墨过潮，转印易模糊。

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顶喷式减薄工艺原理和流程工艺原理

设备采用顶部喷洒方式进行蚀刻减薄LCD面板/玻璃基板。通过专用喷头等喷淋装置，以近似于雾状的喷淋方式，将蚀刻药液均匀的喷洒在蚀刻产品表面。工作过程中被蚀刻的玻璃基板等产品通过特定的匣具（Cassette）垂直固定，通过喷淋装置从顶部喷洒，并且在蚀刻产品的表面形成瀑布状蚀刻流，通过智能自动化PLC电气控制系统，以及在线监控和过滤等辅助系统装置，实现类同于双面瀑布流蚀刻的自动化减薄。同时通过形成的瀑布蚀刻流冲刷带走蚀刻后的反应物，避免反应物在蚀刻产品表面的沉积和粘附，有效提高蚀刻减薄效率和减薄产品的良率。

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Pla***a在干蚀刻中的应用在高周波电场中电子被来回加速，蚀刻面板加工工厂，加速后的电子轰击气体分子或原子，使分子或粒子解离出新的电子(α作用) 而产生Ion，或者使分子解离为高活性的自由基。高活性的自由基会和玻璃基板表面所镀的薄膜物质进行反应。

因此Pla***a被用在半导体，LCD行业中Etching的工艺中，多用在硅和硅的化合物（SiNx、SiOx 等）的蚀刻工艺，随着设备的改进，也可用于金属铝的蚀刻。

Pla***a蚀刻设备昂贵，但生产过程中耗费的Material非常少， Pla***a蚀刻的优点在于：蚀刻的精ds确度很好，速度快，蚀刻均一性好，***消耗低（较酸液蚀刻）。